En esta charla nos acercaremos de una manera accesible al mundo de los semiconductores aplicados a sistemas RF de alta potencia. A través de conceptos básicos como la oblea y los procesos de diseño y fabricación, construiremos una visión clara de lo que hay detrás de un chip de altas prestaciones.
A lo largo de la sesión se explicará de forma intuitiva cómo se forman los transistores GaN y por qué resultan especialmente adecuados para aplicaciones exigentes. También se introducirán elementos clave como los modelos de transistores RF y los PDKs, que permiten conectar la tecnología de fabricación con el diseño de circuitos MMIC.
Finalmente, veremos cómo estos dispositivos se integran en sistemas complejos, como los radares modernos, ofreciendo una visión completa del recorrido tecnológico desde la oblea hasta el sistema. Esta parte se contextualizará con la actividad desarrollada en Indra, incluyendo el trabajo de su centro de innovación en Vigo y la participación en iniciativas como SPARC, orientadas al desarrollo de capacidades estratégicas en microelectrónica y tecnologías RF.
Una charla divulgativa y, al mismo tiempo, vinculada a la experiencia industrial, de la mano de Rocío Moure, apoyada en ejemplos visuales y comparaciones que facilitan la comprensión.
Rocío Moure es ingeniera de Telecomunicación y doctora por la Universidad de Vigo, en colaboración con la Universidad de Cardiff. Inició su trayectoria como investigadora en AtlantTIC, en Vigo, y posteriormente se trasladó a Belfast, en el Reino Unido, donde trabajó como ingeniera de diseño de microondas y dispositivos en Iconic RF.
Más adelante se incorporó a Microchip, centrando su trabajo en la caracterización y modelado de transistores GaN HEMT. Actualmente es la responsable de Procesos GaN y modelado RF en Indra, en Vigo, colaborando además con la puesta en marcha de una nueva foundry europea en la ciudad
